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SPD01N60C3BTMA1

Mfr# SPD01N60C3BTMA1
Mfr. International Rectifier (Infineon Technologies)
Beschreibung MOSFET N-CH 650V 0.8A TO-252
RoHS Status Bleifrei / RoHS-konform
Mehr Informationen Erfahren Sie mehr über International Rectifier (Infineon Technologies) SPD01N60C3BTMA1
Datenblätte SPD01N60C3BTMA1.pdf

Beschreibung

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Artikelnummer SPD01N60C3BTMA1
Hersteller International Rectifier (Infineon Technologies)
Beschreibung MOSFET N-CH 650V 0.8A TO-252
Bleifreier Status / RoHS Status Bleifrei / RoHS-konform
Verfügbare Menge 5628 pcs
Datenblätte SPD01N60C3BTMA1.pdf
VGS (th) (Max) @ Id 3.9V @ 250µA
Vgs (Max) ±20V
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Supplier Device-Gehäuse PG-TO252-3
Serie CoolMOS™
Rds On (Max) @ Id, Vgs 6 Ohm @ 500mA, 10V
Verlustleistung (max) 11W (Tc)
Verpackung Cut Tape (CT)
Verpackung / Gehäuse TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Andere Namen SPD01N60C3BTMA1CT
SPD01N60C3INCT
SPD01N60C3INCT-ND
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart Surface Mount
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL) 1 (Unlimited)
Bleifreier Status / RoHS-Status Lead free / RoHS Compliant
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 100pF @ 25V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 5nC @ 10V
Typ FET N-Channel
FET-Merkmal -
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V
Drain-Source-Spannung (Vdss) 650V
detaillierte Beschreibung N-Channel 650V 800mA (Tc) 11W (Tc) Surface Mount PG-TO252-3
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 800mA (Tc)

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